尔必达正式量产40nm 2Gb DDR3
2009-12-23小烈MCPLive.cn
尔必达内存近日正式宣布，位于广岛市的工厂已经开始量产40nm 2GB DDR3内存芯片。这离他们刚刚研发出此产品不过两个月的时间，新的40nm每片晶圆的芯片产量比目前50nm DDR3产品提升44%，而1.6Gbps(1600MHz)的DDR3产品良品率可达100%。
2GB DDR3芯片可工作在1.2V和1.35V下，这可比通过JEDEC认证的1.5V电压下的DDR3低了不少。据悉，尔必达还计划在明年第二季度，让旗下的子公司瑞晶电子制造40nm DRAM。照这个趋势发展下去，如果内存市场到明年还是很健康，估计日本的很多公司还会在ProMOS和Winbond上采用40nm这种更小巧的处理工艺。
