金邦千禧DDR2 800内存 为主流市场打造

金邦科技 0755-26330801 185元

这款2GB内存采用了双面16颗粒设计，从内存表面的标识显示，该颗粒的默认工作电压为1.8V，额定CL（CAS Latency）列地址选通脉冲延迟可以设定为5或6。其它方面，这款内存在内存颗粒与金手指之间还配有大量的排阻与贴片电容，可以帮助内存起到稳压作用，进一步增强内存的工作稳定性。内存金手指则采用成熟的化学镀金工艺制造，虽然在硬度与耐磨性上与电镀镀金工艺相比略差，但其镀层厚度更均匀、表面更平整。

通过CPU-Z检测发现，金邦千禧DDR2 800内存在DDR2 800下的默认延迟实测为6(CL)-
6(tRCD)-6(tRP)-15(tRAS)@2T。那么它的实际性能如何呢？接下来我们采用目前在市面上常见的金士顿DDR2 800窄版内存与金邦千禧DDR2 800进行了对比测试。窄版内存的主要延迟设定同样为
6-6-6-15@2T，不过从测试成绩来看，其性能与金邦千禧DDR2 800相比，不论是内存性能还是处理器性能均略有差距，我们认为这主要是因为该内存的其它延迟设定较高所致。

下面我们还对这两款内存的超频性能进行了测试。考虑到大部分主流用户只会进行简单、安全的超频。因此在这里我们只通过默认电压对各内存进行超频。超频方法很简单，调高Intel Core 2
Duo E8200处理器外频，将外频与内存频率比例设定为5:6，令内存频率随动提升。终，金邦千禧
DDR2 800在处理器外频达到381MHz、处理器频率为381MHz×8=3.048GHz时，内存可以稳定工作在DDR2 914，并可通过Memtest86内存品质测试的所有测试。而矮版内存高频率则只能达到
DDR2 866（处理器频率2.88GHz），且在Memtest86测试中运行9分钟后就出现死机。

金邦千禧DDR2 800内存在DDR2 914下成功通过了长达45分钟的Memtest86+内存测试

究其原因还是金邦千禧DDR2 800采用了标准的全尺寸PCB设计，布线较PCB面积大幅缩减的窄版内存更加宽松，彼此之间的电磁干扰更小，因此它在高频率下的工作也就更加稳定。

从测试可以看到，超频到DDR2 914后的金邦千禧DDR2 800内存较其默认性能有了明显的提升。因此，这款内存不论是默认性能还是超频性能都能满足主流用户的需求，值得大家考虑。

做工优秀、具备一定超频能力，性价比高。
暂时不具备金邦的DBT烧机老化技术。

测试手记：虽然这款内存暂时不具备金邦的DBT烧机老化技术，但经MC评测工程师测试，在DDR2 914的高频下，它不仅完成了Memtest86的所有测试项目，而且在长达40多分钟的测试时间里，也未出现任何错误，表现出了极好的高频工作稳定性。