美光和Intel推3-bit-per-cell NAND闪存
2009-08-12小烈MCPLive.cn
英特尔和美光合资企业IM Flash科技公司日前高调宣布，他们已经利用34nm技术，研发出3-bit-per-cell (3bpc) MLC (multi-level cell) NAND芯片。根据双方的说法，这次成功研制出工业上小高效的32GB芯片将会被用于电子消费存储设备。据悉，目前32Gb 3bpc NAND芯片正在被美光进行抽样调查，初步预计在第四季度进行量产。
美光内存部的VP Brian Shirley称，此次的3bpc NAND是我们路线图中非常重要的一个板块，但这不意味着对于他们两家合作公司的完结，因为IM Flash还计划在今年晚些时候推出2xnm新技术。
